%0 Journal Article
%T Theoretical study of infrared emissivity of indium tin oxide films<br>ITO导电膜红外发射率理论研究
%A ZHANG Wei-jia
%A Wang Tian-Min
%A Zhong Li-Zhi
%A WU Xiao-wen
%A CUI Min
%A <br>张维佳
%A 王天民
%A 钟立志
%A 吴小文
%A 崔敏
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射 率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μ m的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身 性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电 阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.
%K infrared emissivity
%K ITO film
%K theoretical calculation
%K sheet resistance<br>红外发射率，
%K ITO薄膜，
%K 理论计算，
%K 方块电阻
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=87CCC187C23C5208&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=A3F82965D63F987C&eid=8AE017421FAA25D6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=14