%0 Journal Article
%T Influence of working pressure on the crystallinity and growth behavior of ZnO films deposited by reactive radio-frequency magnetron sputtering<br>工作气压对磁控溅射ZnO薄膜结晶特性及生长行为的影响
%A Liu Zhi-Wen
%A Gu Jian-Feng
%A Fu Wei-Jia
%A Sun Cheng-Wei
%A Li Yong
%A Zhang Qing-Yu
%A <br>刘志文
%A 谷建峰
%A 付伟佳
%A 孙成伟
%A 李勇
%A 张庆瑜
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 采用射频反应磁控溅射方法，在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱分析技术，对不同工作气压下合成的ZnO薄膜的表面形貌、微观结构和光学性能进行表征，研究了工作气压对ZnO薄膜的结晶性能以及生长行为的影响.研究结果显示：对于Ar/O2流量比例接近1∶1的固定比值下，ZnO薄膜的生长行为主要取决于成膜空间中氧的密度，临界工作气压介于0.5—1.0 Pa之间.当工作气压小于临界值时，ZnO薄膜的成核密度较高，且随工作气压的变化明显，ZnO的生长行为受控于氧的密度，属于氧支配的薄膜生长；当工作气压大于临界值以后，ZnO薄膜的成核密度基本保持不变，Zn原子的数量决定薄膜的生长速率；在0.1—5.0 Pa的工作气压范围内，均可获得高度c轴取向的ZnO薄膜，但工作气压的变化改变着ZnO晶粒之间的界面特征和取向关系.随着工作气压的增加，ZnO晶粒之间的界面失配缺陷减少，但平面织构特征逐渐消失，三叉晶界的空洞逐渐扩大，薄膜的密度下降，折射率减小.
%K ZnO film
%K magnetron sputtering
%K morphology
%K microstructure
%K optical property<br>ZnO薄膜
%K 磁控溅射
%K 表面形貌
%K 微观结构
%K 光学性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A317B92D77022ACA&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B031434CF99839D4&eid=C38A0F547AFD47B0&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=24