%0 Journal Article
%T Comparison of temperature-dependent dielectric characteristic in two different (Ba,Sr)TiO3 films<br>两种不同(Ba,Sr)TiO3薄膜介电-温度特性的研究
%A Tang Qiu-Wen
%A Shen Ming-Rong
%A Fang Liang
%A <br>唐秋文
%A 沈明荣
%A 方 亮
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜，发现制备条件的不同，可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数，在10kHz下，超过2500，并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜，而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu３Ti４O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变，符合居里-外斯定律；低温氮气氛下制备的BSTO薄膜，介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型，是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释.
%K films
%K pulsed laser deposition
%K dielectric relaxation<br>薄膜，
%K 脉冲激光沉积，
%K 介电弛豫
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CD59566C42CCF44C&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=38B194292C032A66&sid=6733A846E5AFAE2E&eid=0B75D2720F0065BE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14