%0 Journal Article
%T Preparation and characterization of hydrogenated microcrystalline silicon films by HW-MWECR-CVD<br>HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究
%A Liu Guo-Han
%A Ding Yi
%A Zhu Xiu-Hong
%A Chen Guang-Hua
%A He De-Yan
%A <br>刘国汉
%A 丁 毅
%A 朱秀红
%A 陈光华
%A 贺德衍
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明，当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时，μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明，在SiH4浓度较大时制备的薄膜，其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解，等离子体高度电离.
%K HW-MWECR-CVD
%K hydrogenated microcrystalline silicon films
%K Raman scattering
%K X-ray diffraction<br>微波电子回旋共振化学气相沉积
%K 氢化微晶硅薄膜
%K 拉曼散射
%K X射线衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F728A673BD3ADD73&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8ABF1A3EAB68B596&eid=436F634AA7F63488&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=11