%0 Journal Article
%T Influence of Si-OH groups on properties and avoidance for SiCOH films prepared by decamethylcyclopentasiloxane electron cyclotron resonance plasma<br>Si-OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制
%A Ye Chao
%A Ning Zhao-Yuan
%A Xin Yu
%A Wang Ting-Ting
%A Yu Xiao-Zhu
%A <br>叶超
%A 宁兆元
%A 辛煜
%A 王婷婷
%A 俞笑竹
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低，导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量，从而提高源的电离程度，使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络，可以进一步降低薄膜的介电常数.
%K SiCOH films
%K Si-OH bonding
%K dielectric property
%K electron cyclotron resonance plasma<br>SiCOH薄膜
%K Si-OH结构
%K 介电性能
%K ECR放电等离子体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=8FBF24E2616E32F7&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=94C357A881DFC066&sid=1C967A5CB3E65B9B&eid=0C855F950D3C0D58&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=28