%0 Journal Article
%T Dependence of thermoelectric properties of n-type Bi2Te3-based sintered materials on the TeI4 doping content
TeI4掺杂量对n型Bi2Te3基烧结材料热电性能的影响
%A Jiang Jun
%A Xu Gao-Jie
%A Cui Ping
%A Chen Li-Dong
%A
蒋 俊
%A 许高杰
%A 崔 平
%A 陈立东
%J 物理学报
%D 2006
%I
%X 采用区熔法结合放电等离子体快速烧结(SPS)技术制备了n型Bi2Te3基热电材料.在300—500K的温度范围内测量了各热电性能参数,包括电导率(σ)、塞贝克系数(α)和热导率(κ),研究了掺杂剂TeI4的含量(质量百分比分别为0,0.05,0.08,0.10,0.13和0.15wt%)对热电性能的影响.结果表明:试样的载流子浓度(n)随TeI4含量增加而增大,使电导率增大、塞贝克系数的绝对值先增大而后减小,从而导致品质因子(α2σ)呈先增加后降低的变化趋势;同时,由于异质离子(I-)以及载流子对声子的散射作用增强,可显著降低其晶格热导率.烧结材料的性能优值(ZT=α2σT/κ)对应于TeI4含量为0.08wt%有其最大值,约为0.92.此外,烧结材料的抗弯强度增加至80MPa左右,从而可以显著改善材料的可加工性以及元器件的使用可靠性.
%K Bi2Te3
%K spark plasma sintering
%K thermoelectric properties
Bi2Te3
%K 放电等离子体快速烧结
%K 热电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9C10BE69DE2DBD36&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=2B3052F5BF268D73&eid=7A0AE34F1504ED1F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=22