%0 Journal Article
%T β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究
%A 潘洪哲
%A 徐 明
%A 祝文军
%A 周海平
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质，得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律，为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.
%K β相氮化硅，
%K 电子结构，
%K 能带结构，
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9F779163F6398F33&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=7B201E70D2FC0D10&eid=80503E7EF7F93EA1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=25