%0 Journal Article %T β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究 %A 潘洪哲 %A 徐 明 %A 祝文军 %A 周海平 %J 物理学报 %D 2006 %I %X 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考. %K β相氮化硅, %K 电子结构, %K 能带结构, %K 光学性质 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9F779163F6398F33&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=7B201E70D2FC0D10&eid=80503E7EF7F93EA1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=25