%0 Journal Article
%T Characterization and bonding configuration of SiCOH low-k films<br>SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析
%A Wang Ting-Ting
%A Ye Chao
%A Ning Zhao-Yuan
%A Cheng Shan-Hua
%A <br>王婷婷
%A 叶超
%A 宁兆元
%A 程珊华
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR_CVD）方法制备了具有低介电常数，且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析，比较了反应源和薄膜键结构的差异，证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构，另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构，在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后，其介电常数由385降低到285，对其FTIR谱的分析指出，薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.
%K low dielectric constant
%K SiCOH films
%K bond structure<br>低介电常数，
%K SiCOH薄膜，
%K 化学键结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2E68B2EA9A41687B&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CC5564FFEBD22614&eid=B65E5C7BA0DC04DC&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=9