%0 Journal Article
%T Transition films from amporphous to microcrystalline silicon and solar cells<br>非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池
%A Hao Hui-Ying
%A Kong Guang-Lin
%A Zeng Xiang-Bo
%A Xu Ying
%A Diao Hong-Wei
%A Liao Xian-Bo
%A <br>郝会颖
%A 孔光临
%A 曾湘波
%A 许 颖
%A 刁宏伟
%A 廖显伯
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法，成功制备出从非晶到微晶过渡区 域的硅薄膜. 样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜 兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p- i-n太阳能电池，并测量了其稳定性. 结果在AM15(100mW/cm2) 的光强下曝光 800—5000min后，开路电压略有升高，转换效率仅衰退了29%.
%K diphasic silicon films
%K photoelectronic properties
%K solar cell<br>相变域硅薄膜，
%K 光电特性，
%K 太阳能电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0AF62AE4FFDF127B&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=125A38A6270A7D18&eid=8939199D3C6831CE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12