%0 Journal Article
%T Modulation response analysis of 1.3 μm quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers<br>1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计
%A Peng Hong-Ling
%A Han Qin
%A Yang Xiao-Hong
%A Niu Zhi-Chuan
%A <br>彭红玲
%A 韩 勤
%A 杨晓红
%A 牛智川
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点，计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽，发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.
%K quantum dots
%K vertical-cavity surface-emitting laser
%K differential gain
%K 3 dB bandwidth<br>量子点
%K 垂直腔面发射激光器
%K 微分增益
%K 3dB带宽
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C19DF5A3AFE55A56&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AD0A5DE51C29AB9F&eid=971ECAFE8682845B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=25