%0 Journal Article
%T Residual stress measurement of porous silicon thin film by substrate curvature method<br>基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用
%A Di Yu-Xian
%A Ji Xin-Hua
%A Hu Ming
%A Qin Yu-Wen
%A Chen Jin-Long
%A <br>邸玉贤
%A 计欣华
%A 胡明
%A 秦玉文
%A 陈金龙
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置，它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力，并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响，结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高，多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大，由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.
%K film
%K residual stress
%K porosity
%K porous silicon<br>薄膜
%K 残余应力
%K 孔隙率
%K 多孔硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AD9D5CF834537872&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=3968F0EAE97702D6&eid=0826CE638C95D794&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11