%0 Journal Article
%T Vacancy-type defects induced by He-implantation in ZnO studied by a slow positron beam<br>He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究
%A Chen Zhi-Quan
%A Kawasuso Atsuo
%A <br>陈志权
%A 河裾厚男
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明，He离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400℃以下退火后，He开始填充到这些空位团里面，造成空位团的有效体积减少.经过400℃以上升温退火后，这些空位团的尺寸开始增大，但由于有少量的He仍然占据在空位团内，因此直到800℃这些空位团仍保持稳定.高于800℃退火后，由于He的脱附，留下的空位团
%K ZnO<br>慢正电子束
%K 离子注入
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2166E083E8AAA99C&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E625B6311D8D4E9F&eid=E2F6E79C0C683E3C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18