%0 Journal Article
%T ZnSe-based organic-inorganic heterostructure diodes<br>基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件
%A Jiang Yan
%A Yang Sheng-Yi
%A Zhang Xiu-Long
%A Teng Feng
%A Xu Zheng
%A Hou Yan-Bing
%A <br>姜 燕
%A 杨盛谊
%A 张秀龙
%A 滕 枫
%A 徐 征
%A 侯延冰
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜，研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq3(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光，却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光；在此基础上进一步引入有机空穴传输层(HTL)，通过改变器件的结构，讨论了ZnSe对有机-无机异质结器件ITO/HTL/ZnSe/Alq3/Al电致发光特性的影响.其电致发光光谱的研究结果证实了ZnSe在器件中的作用：ZnSe既起传输电子的作用，也起到传输空穴的作用，还作为发光层.并对ZnSe的发光机理进行了讨论.
%K zinc selenide (ZnSe)
%K organic-inorganic heterostructures
%K electroluminescence
%K hole-transporting layer<br>硒化锌
%K 有机-无机异质结
%K 电致发光
%K 空穴传输层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A43FA54384456B6F&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=56AED737790E6010&eid=BDBB5A4651A58A19&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=24