%0 Journal Article
%T Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source<br>大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
%A Zhao Shu-Yun
%A Wu Chun-Ya
%A Liu Zhao-Jun
%A Li Xue-Dong
%A Wang Zhong
%A Meng Zhi-Guo
%A Xiong Shao-Zhen
%A Zhang Fang
%A <br>赵淑云
%A 吴春亚
%A 刘召军
%A 李学冬
%A 王中
%A 孟志国
%A 熊绍珍
%A 张芳
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 用无电电镀的化学方法，在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源，在550℃下退火若干小时，可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物，晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT，获得了良好的器件特性.
%K metal induced crystallization
%K chemical source
%K poly-Si
%K TFT<br>金属诱导晶化
%K 化学源
%K 多晶硅
%K 薄膜晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A0B69A8BE93F4EDF&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=3B2BA1D62DCB77EB&eid=7079C718D6721943&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=6