%0 Journal Article
%T Effect of hydrogen dilution on structure and optical properties of polycrystalline silicon films<br>氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响
%A Huang Rui
%A Lin Xuan-Ying
%A Yu Yun-Peng
%A Lin Kui-Xun
%A Zhu Zu-Song
%A Wei Jun-Hong
%A <br>黄 锐
%A 林璇英
%A 余云鹏
%A 林揆训
%A 祝祖送
%A 魏俊红
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 以SiCl4和H2为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，在250℃的低温下，研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明，对于以SiCl4和H2组成的反应源气体，氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2，在一定功率下，薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加，在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85％；随着氢稀释度的继续减小，薄膜晶化度迅速下降，并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小，薄膜的光学带隙由 1.5eV减小至约1.2eV，而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小，在无氢条件下，无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下，Cl基是促进晶化度提高，晶粒长大的一个主要因素.
%K SiCl4<br>多晶硅薄膜
%K 微结构
%K 氢稀释
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4F58605D9F5FD54A&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=94C357A881DFC066&sid=0D34F5DF04A56800&eid=EB9FE82C3375C273&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=14