%0 Journal Article
%T Preparation and mechanism of p-type ZnO films formed by modified ion beam enhanced deposition method<br>离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究
%A Yuan Ning-Yi
%A Li Jin-Hu
%A Fan Li-Ning
%A Wang Xiu-Qin
%A Xie Jian-Sheng
%A <br>袁宁一
%A 李金华
%A 范利宁
%A 王秀琴
%A 谢建生
%J 物理学报
%D 2006
%I 
%X 采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO)，溅射靶是用ZnO和2 atm% In2O3粉体均匀混合并压制而成，在氩离子溅射ZnO靶的同时，氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向，并且为p型导电，电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火，对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.
%K ZnO film
%K p-type doping
%K ion beam enhanced deposition method<br>氧化锌薄膜
%K p型掺杂
%K 离子束增强沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7DE5E99614B850D3&yid=37904DC365DD7266&vid=E514EE58E0E50ECF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=45212072BA7D45D1&eid=153FBB08F09A16CD&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9