%0 Journal Article
%T Synchrotron radiation photoemission study of Yb2.75C60
Yb2.75C60同步辐射光电子能谱
%A He Shao-Long
%A Li Hong-Nian
%A Wang Xiao-Xiong
%A Li Hai-Yang
%A Kurash I
%A Qian Hai-Jie
%A Su Run
%A Abbas M I
%A Zhong Jun
%A Hong Cai-Hao
%A
何少龙
%A 李宏年
%A 王晓雄
%A 李海洋
%A I. Kurash
%A 钱海杰
%A 苏 润
%A M. I. Abbas
%A 钟 俊
%A 洪才浩
%J 物理学报
%D 2005
%I
%X 在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约300 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb275C60价态时,应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用.
%K Yb_(2
%K 75)C_(60)
%K SR-PES
%K photoionization cross section oscillation
Yb275C60
%K 同步辐射光电子能谱
%K 光电离截面振荡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=45B59DD8186EFA87&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=38B194292C032A66&sid=14475B1A66930D94&eid=B754280783395EEA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=20