%0 Journal Article
%T STUDY OF RELATIVE DOSE-ENHANCEMENT EFFECTS ON CMOS DEVICE IRRADIATED BY STEADY-STATE AND TRANSIENT PULSED X-RAYS<br>稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究
%A GUO HONG-XIA
%A CHEN YU-SHENG
%A ZHANG YI-MEN
%A ZHOU HUI
%A GONG JIAN-CHENG
%A HAN FU-BIN
%A GUAN YING
%A WU GUO-RONG
%A <br>郭红霞
%A 陈雨生
%A 张义门
%A 周辉
%A 龚建成
%A 韩福斌
%A 关颖
%A 吴国荣
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.
%K X-rays
%K dose
%K enhancement factor
%K effects of
%K total dose
%K effects of
%K dose rate<br>X射线
%K 剂量增强因子
%K 总剂量效应
%K 剂量率效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4940BB7C3BF83406&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=59906B3B2830C2C5&sid=84C1FE7A9C76369B&eid=25A34FD11ADF8B56&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=13