%0 Journal Article
%T α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算
%A 谢长坤
%A 徐彭寿
%A 徐法强
%A 潘海斌
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了αSiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的αSiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算αSiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变
%K 碳化硅
%K FPLAPW方法
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6868ECE47844B5D1BB12A82ECCF0E29B&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=59906B3B2830C2C5&sid=A053742F32909086&eid=72987ABB302603E3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0