%0 Journal Article
%T MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON TRANSPORT IN 6H-SiC<br>6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟
%A SHANG YE-CHUN
%A ZHANG YI-MEN
%A ZHANG YU-MING
%A <br>尚也淳
%A 张义门
%A 张玉明
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律，在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理，模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性，其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的.
%K 6H-SiC
%K Monte Carlo study
%K mobility
%K electron scattering<br>6H-SiC
%K Monte
%K Carlo模拟，
%K 迁移率，
%K 散射机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=94EC00039F51A199&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=D324B2A670A93426&eid=698FD652CB79A2E7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=3