%0 Journal Article
%T A NOVEL APPROACH OF PHOTOLUMINESCENCE FROM ERBIUM-DOPED SILICON-BASED MATERIALS<br>掺铒硅基材料发光的新途径
%A XIAO ZHI-FEI
%A XU FEI
%A ZHANG TONG-HE
%A CHENG GUO-AN
%A GU LAN-LAN
%A <br>肖志松
%A 徐飞
%A 张通和
%A 程国安
%A 顾岚岚
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射（RBS）能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，E r的掺杂浓度为10^21cm^-3量级；原子力显微镜（AFM）形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中；X射线光电子能谱（XPS）的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化。77K温度下，在退火态样品的近红外光发光（PL）谱中观察到了Er^3 的1.54μm特征发射，Er^3 作为孤立离子发光中心，其激活能主要来源于nc-Si/SiO2(c-Si/SiO2)界面处的载流子复合，再将能量转移给Er^3 而产生发光。
%K ion implantation
%K photoluminescence
%K erbium
%K nc\|Si<br>离子注入
%K 光致发光
%K 铒
%K 纳米硅
%K 掺铒硅基材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A78A3F96C2446A93&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F260CE035846B3B8&eid=BBF7D98F9BEDEC74&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=16