%0 Journal Article
%T GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究
%A 柳强
%A 巩马理
%A 闫平
%A 贾维溥
%A 崔瑞祯
%A 王东生
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和FP输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430mW,光束质量为M2=113的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.
%K 被动调Q
%K 输出耦合
%K GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0BBC9208EE20036B&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8AD9E218CC1C7079&eid=00045E53F2BB2A1D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11