%0 Journal Article
%T Prediction on the characteristics of isothermal annealing by using isochronal annealing data<br>利用等时退火法预估等温退火效应实验研究
%A He Bao-Ping
%A Wang Gui-Zhen
%A Gong Jian-Cheng
%A Luo Yin-Hong
%A Li Yong-Hong
%A <br>何宝平
%A 王桂珍
%A 龚建成
%A 罗尹虹
%A 李永宏
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究，结果发现，首先，100℃等 温退火是有效的，等时退火所需的全过程时间最短；其次，+5V栅偏压退火相对于0V和浮空 偏置条件，阈值电压恢复速度快、恢复程度大；最后，利用等时退火数据对等温效应进行了 理论预估，实验等温曲线和预估结果吻合得较好.
%K isothermal annealing
%K isochronal annealing
%K MOS device<br>等温退火，
%K 等时退火，
%K MOS器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C962C2252BDBF8E6&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=286FB2D22CF8D013&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7A4D490451ECA9E5&eid=ACC52FE434DCDA93&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11