%0 Journal Article
%T INVESTIGATION OF THE LIGHT HOLE IN p-TYPE Hg1-xCdxTe<br>p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究
%A JIANG CHUN-PING
%A GUI YONG-SHENG
%A ZHENG GOU-ZHEN
%A MA ZHI-XUN
%A WANG SHAN-LI
%A HE LI
%A CHU JUN-HAO
%A <br>蒋春萍
%A 桂永胜
%A 郑国珍
%A 马智训
%A 王善力
%A 何 力
%A 褚君浩
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 通过变磁场霍尔测量方法，采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法，在12-300K范围内，获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg1-xCdxTe(x=0224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外，在实验中，还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义，而且有助于红外探测器模型的建立.
%K 红外探测器
%K HgCdTe
%K 轻空穴
%K 红外光学材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=780D11F4F83CB977323B72D4C635699E&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=94C357A881DFC066&sid=4986C0B14AED27B4&eid=5357CC5E80802025&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=3