%0 Journal Article
%T GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析
%A 李娜
%A 袁先漳
%A 李宁
%A 陆卫
%A 李志峰
%A 窦红飞
%A 沈学础
%A 金莉
%A 李宏伟
%A 周均铭
%A 黄绮
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.
%K 砷化镓
%K 能级结构
%K 光谱
%K 量子阱
%K 红外探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CDB0E0370FD645E01B070B1CB76B92B8&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=E158A972A605785F&sid=97747634025A5F36&eid=0018E43E61963A72&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5