%0 Journal Article
%T PROTON IMPLANT ISOLATION OF AlGaInP/GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES IN FABRICATION<br>AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离
%A CHENG ZHI-QUN
%A SUN XIAO-WEI
%A XIA GUAN-QUN
%A LI HONG-QIN
%A SHENG HUAI-MAO
%A QIAN RONG
%A <br>程知群
%A 孙晓玮
%A 夏冠群
%A 李洪芹
%A 盛怀茂
%A 钱蓉
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
%K AlGaInP／GaAs
%K 异质结比极型晶体管
%K 质子注入隔离
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=74C9781B29F7986A69B8BA78CF1C2541&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=315A3D008C6ECFC8&eid=73648F51F187AC5E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=3