%0 Journal Article
%T Diagnosis of VHF plasmas with optical emission spectroscopy<br>VHF等离子体光发射谱(OES)的在线监测
%A Yang Hui-Dong
%A Wu Chun-Y
%A Li Hong-Bo
%A Mai Yao-Hu
%A Zhu Feng
%A Zhou Zhen-Hu
%A Zhao Ying
%A Geng Xin-Hua
%A Xiong Shao-Zheng
%A <br>杨恢东
%A 吴春亚
%A 李洪波
%A 麦耀华
%A 朱锋
%A 周祯华
%A 赵颖
%A 耿新华
%A 熊绍珍
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 采用光发射谱(OES)测量技术，对不同制备条件下的甚高频(VHF)等离子体辉光进行了在线监 测.实验表明，VHF等离子体中特征发光峰(Si，SiH,Hα,H*β 等)的强度较常规的射 频(RF)等离子体明显增强，并且在制备μc-Si：H的工艺条件下(H稀释度R(H2/S iH4)=23 )，随激发频率的增加而增大，这些发光峰的变化趋势与材料沉积速率的变化规律较相似.Si H峰等的强度随气压的变化则因硅烷H稀释度及功率的不同而异：高H稀释(R=23)时，SiH峰强 度在低辉光功率下随反应气压的增大单调下降，在高辉光功率下随气压的变化呈现类高斯规 律；低H稀释(R=5．7)时， SiH峰随气压的变化基本上是单调下降的，下降速率也与功率有 关，这些结果表明，VHF-PECVD制备μc-Si：H和a-Si：H的反应动力学过程存在较大差异.此 外，随着激发功率的增大，Si，SiH峰都先迅速增大然后趋于饱和，并且随着H稀释率的增大 ，将更快呈现饱和现象.通过对OES结果的分析与讨论可知，VHF-PECVD技术沉积硅基薄膜可 以有效提高沉积速率，而且，硅基薄膜的沉积速率的进一步提高需要综合考虑H稀释度、气 压和功率等的匹配与优化.
%K VHF-PECVD
%K Si:H thin film
%K optical emission spectroscopy(OES)<br>甚高频等离子体化学气相沉积，
%K 氢化硅薄膜
%K 光发射谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F22787BD46F63A7F&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=286FB2D22CF8D013&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=F728FC2D3A6F8DAF&eid=48E05C7FFAD0392D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=21