%0 Journal Article
%T THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS
p型半导体金刚石膜的磁阻效应
%A KONG GHUN-YANG
%A WANG WAN-LU
%A LIAO KE-JUN
%A MA YONG
%A WANG SHU-XIA
%A FANG LIANG
%A
孔春阳
%A 王万录
%A 廖克俊
%A 马勇
%A 王蜀霞
%A 方亮
%J 物理学报
%D 2001
%I
%X 在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因
%K diamond films
%K heteroepitaxial
%K magnetoresistive effect
%K conductivity
金刚石膜
%K 异质外延
%K 磁阻效应
%K 电导率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B67F4932D71FEF53&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=5D311CA918CA9A03&sid=9C467F963DDC525B&eid=498BA6789EF40614&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=22