%0 Journal Article
%T Influence of polarizations and doping in AlGaN barrier on the two-dimensional electron-gas in AlGaN/GaN heterostruture<br>AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响
%A Kong Yue-Chan
%A Zheng You-Dou
%A Zhou Chun-Hong
%A Deng Yong-Zhen
%A Gu Shu-Lin
%A Shen Bo
%A Zhang Rong
%A Han Ping
%A Jiang Ruo-Lian
%A Shi Yi
%A <br>孔月婵
%A 郑有炓
%A 周春红
%A 邓永桢
%A 顾书林
%A 沈 波
%A 张 荣
%A 韩 平
%A 江若琏
%A 施 毅
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发 ,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性质的影响 .结果表明 :二维电子气性质强烈依赖于极化效应 ,不考虑AlGaN势垒层掺杂 ,当Al组分为 0 3时 ,由极化导致的二维电子气浓度达 1 6× 10 1 3cm- 2 ,其中压电极化对二维电子气贡献为 0 7× 10 1 3cm- 2 ,略小于自发极化的贡献 (0 9× 10 1 3cm- 2 ) ,但为同一数量级 ,因而通过控制AlGaN层应变而改变极化对于提高二维电子气浓度至关重要 .AlGaN势垒层掺杂对二维电子气的影响较弱 ,当掺杂浓度从 1× 10 1 7增加到 1× 10 1 8cm- 3时 ,二维电子气面密度增加 0 2× 10 1 3cm- 2 .
%K Al
%K xGa 1-xN/GaN heterostructure
%K two-dimensional electron-gas
%K spontaneous polarization
%K piezoelectric polarization<br>AlxGa1-xNGaN异质结构
%K 二维电子气
%K 自发极化
%K 压电极化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=59721E4E80B238B4&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=CD86F4EEA1B1928E&eid=F728FC2D3A6F8DAF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=12