%0 Journal Article
%T HETEROEPITAXIAL DIAMOND GROWTH ON PRE-DEPOSITED β-SiC ORIENTED LAYER ON Si(001) SUBSTRATE<br>在硅(001)上预沉积β-SiC定向层后金刚石薄膜的定向生长
%A HE XIAN-CHANG
%A SHEN HES-HENG
%A ZHANG ZHI-MING
%A WAN YONG-ZHONG
%A SHEN TING
%A <br>何贤昶
%A 沈荷生
%A 张志明
%A 万永中
%A 沈挺
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外光谱证实βSiC层的存在.微俄歇谱表明在这种方式下,850℃下即生成密集的与硅的三个〈001〉方向平行的碳化硅单晶晶粒.接着用甲烷代替六甲基二硅胺烷作为碳源,在其上继续施加负偏压处理和CVD生长.微俄歇谱表明小正方形渐渐变成大正方形,其成分也从含硅碳变成只含碳.微喇曼谱证实了这一变化过程中的相结构从立方碳化硅变成金刚石.这一生长过程中对应的定向关系为金刚石〈001〉∥βSi
%K 硅
%K 预沉积
%K β－SiC定向层
%K 金刚石薄膜
%K 定向生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=74C9781B29F7986A7DFBD0D7B6BAEF86&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=38B194292C032A66&sid=640CCB6E396307A8&eid=FD207D3C5E9776FA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4