%0 Journal Article
%T The scintillation characteristics and point defects of PbWO4 crystal by doping with trivalent ions
+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
%A Liang Ling
%A Gu Mu
%A Duan Yong
%A Ma Xiao-Hui
%A Liu Feng-Song
%A Wu Xiang-Hui
%A Qiu Long-Qing
%A Chen Ming-Nan
%A Liao Jing-Ying
%A Shen Ding-Zhong
%A Zhang Xin
%A Gong Bo
%A Xue Xuan-Ping
%A Xu Wei-Xin
%A Wang Jing-Cheng
%A
梁 玲
%A 顾 牡
%A 段 勇
%A 马晓辉
%A 刘峰松
%A 吴湘惠
%A 邱隆清
%A 陈铭南
%A 廖晶莹
%A 沈定中
%A 张 昕
%A 宫 波
%A 薛炫萍
%A 徐炜新
%A 王景成
%J 物理学报
%D 2004
%I
%X 通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同 3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,不同的 3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化,其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况,提出 3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同,晶体中La^3 将替代Pb^2 的格位,Y^3 和Bi^3 将占据铅空位,而锑可以以Sb^3 替代Pb^2 格位和Sb^5 替代W^6 格位的两种形式存在。
%K PbWO
%K 4 crystal
%K trivalent-ion dopants
%K positron annihilation lifetime
%K x-ray photoelectron spectrum
钨酸铅晶体
%K 正三价离子掺杂
%K 正电子湮没寿命谱
%K X光电子能谱
%K 微观缺陷
%K 发光性能
%K 正电子俘获
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B75E24F7F98D0DF7&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=BA305A52E2EE9350&eid=811ACA5D3673A764&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=25