%0 Journal Article %T The scintillation characteristics and point defects of PbWO4 crystal by doping with trivalent ions
+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究 %A Liang Ling %A Gu Mu %A Duan Yong %A Ma Xiao-Hui %A Liu Feng-Song %A Wu Xiang-Hui %A Qiu Long-Qing %A Chen Ming-Nan %A Liao Jing-Ying %A Shen Ding-Zhong %A Zhang Xin %A Gong Bo %A Xue Xuan-Ping %A Xu Wei-Xin %A Wang Jing-Cheng %A
梁 玲 %A 顾 牡 %A 段 勇 %A 马晓辉 %A 刘峰松 %A 吴湘惠 %A 邱隆清 %A 陈铭南 %A 廖晶莹 %A 沈定中 %A 张 昕 %A 宫 波 %A 薛炫萍 %A 徐炜新 %A 王景成 %J 物理学报 %D 2004 %I %X 通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同 3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,不同的 3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化,其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况,提出 3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同,晶体中La^3 将替代Pb^2 的格位,Y^3 和Bi^3 将占据铅空位,而锑可以以Sb^3 替代Pb^2 格位和Sb^5 替代W^6 格位的两种形式存在。 %K PbWO %K 4 crystal %K trivalent-ion dopants %K positron annihilation lifetime %K x-ray photoelectron spectrum
钨酸铅晶体 %K 正三价离子掺杂 %K 正电子湮没寿命谱 %K X光电子能谱 %K 微观缺陷 %K 发光性能 %K 正电子俘获 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B75E24F7F98D0DF7&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=BA305A52E2EE9350&eid=811ACA5D3673A764&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=25