%0 Journal Article
%T Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by pr oton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe<br>质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究
%A Chen Gui-Bin
%A Li Zhi-Feng
%A Cai Wei-Ying
%A He Li
%A Hu Xiao-Ning
%A Lu Wei
%A Shen Xue-Chu
%A <br>陈贵宾
%A 李志锋
%A 蔡炜颖
%A 何力
%A 胡晓宁
%A 陆卫
%A 沈学础
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结，并对相应的p-n结的电流-电压（I-V）特性进行 了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2，低温热处理后达490Ω·cm2.
%K current-voltage characteristic
%K HgCdTe film
%K proton implantation
%K p- n junction<br>I-V特性
%K 碲镉汞薄膜
%K 质子注入
%K p-n结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=d2344c8a862eb668&yid=d43c4a19b2ee3c0a&vid=286fb2d22cf8d013&iid=b31275af3241db2d&sid=592cc3414b588215&eid=d56713c22da9fde8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=9