%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE OF ERBIUM-DOPED POROUS SILICON PREPARED BY ANODIC ETCHING OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH<br>掺铒硅多孔化后的光致发光特性
%A GU LAN-LAN
%A XIONG ZU-HONG
%A CHEN GANG
%A XU SHAO-HUI
%A <br>顾岚岚
%A 熊祖洪
%A 陈刚
%A 徐少辉
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响.
%K 掺铒硅
%K 多孔硅
%K 光致发光特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0C16FDE6C09A537189AA7E8AB2D66C8E&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=663FF78B2ADE7A2D&eid=3BAAE0DA6093AC05&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=4