%0 Journal Article
%T Theoretical calculation of structures and properties of Ga6N6 cluster<br>Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究
%A Hao Jing-An
%A Zheng Hao-Ping
%A <br>郝静安
%A 郑浩平
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 在密度泛函理论的基础上，对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算，得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV，因此是可能存在的.但与他人计算的Ga3N3和Ga5N5相比，Ga6N6团簇可能不属于“幻数”团簇.最稳定结构的Ga6N6
%K GaN
%K cluster
%K electronic structure<br>GaN，
%K 团簇，
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A14DD5C61760649C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=E158A972A605785F&sid=3F10405738B4D004&eid=AE9D5375B9B2D7F2&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=13