%0 Journal Article
%T Rapid crystallization of a-Si films at low temperatures and structure analyses of the crystallized films<br>非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析
%A Lin Kui-Xun
%A Lin Xuan-Ying
%A Liang Hou-Yun
%A Chi Ling-Fei
%A Yu Chu-Ying
%A Huang Chuang-Jun
%A <br>林揆训
%A 林璇英
%A 梁厚蕴
%A 池凌飞
%A 余楚迎
%A 黄创君
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.
%K solid phase crystallization
%K poly crystalline silicon film
%K amorphous silicon film<br>固相晶化
%K 多晶硅薄膜
%K 非晶硅薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6868ECE47844B5D156C349035A872E2F&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=E158A972A605785F&sid=AD0A5DE51C29AB9F&eid=9C230FD2B3A7F308&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=21