%0 Journal Article
%T SCANNING TUNNELING MICROSCOPY STUDY OF Si GROWTH ON Si3N4/Si SURFACE<br>Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究
%A WANG LEI
%A TANG JING-CHANG
%A WANG XUE-SEN
%A <br>汪雷
%A 唐景昌
%A 王学森
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变.在生长早期T为350—1075K范围内,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合.当生长继续时,Si的晶体小面开始显现.在晶态的Si3N4(0001)/S
%K silicon nitride
%K scanning tunneling microscopy
%K nano-clusters<br>氮化硅
%K 扫描隧道显微镜
%K 纳米颗粒
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A84737DF18BDC87C&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=38B194292C032A66&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=91BAD12CFABB3251&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=13