%0 Journal Article
%T The dependence of single event upset cross-section on incident angle<br>静态随机存储器单粒子效应的角度影响研究
%A Zhang Qing-Xiang
%A Hou Ming-Dong
%A Liu Jie
%A Wang Zhi-Guang
%A Jin Yun-Fan
%A Zhu Zhi-Yong
%A Sun You-Mei
%A <br>张庆祥
%A 侯明东
%A 刘　杰
%A 王志光
%A 金运范
%A 朱智勇
%A 孙友梅
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明：在大角度掠射轰击下单粒子翻转截面的增大包括了多位翻转的贡献；离子在器件敏感层中沉积的能量及其横向分布是影响多位翻转的两个重要参数，IDT71256发生三位以上多位翻转的比例随着离子入射角度的增大而增加.
%K SRAM
%K single event upset
%K multiple bit upset
%K incident angle
%K deposited energy<br>静态存储器，
%K 单粒子翻转，
%K 多位翻转，
%K 沉积能量，
%K 横向分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=990DF463392A65DB&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CDC418F38C4BFD60&eid=18F040DBCB74FFF9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11