%0 Journal Article
%T TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR<br>金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应
%A WANG JIAN-PING
%A XU NA-JUN
%A ZHANG TING-QING
%A TANG HUA-LIAN
%A LIU JIA-LU
%A LIU CHUAN-YANG
%A YAO YU-JUAN
%A PENG HONG-LUN
%A HE BAO-PING
%A ZHANG ZHENG-XUAN
%A <br>王剑屏
%A 徐娜军
%A 张廷庆
%A 汤华莲
%A 刘家璐
%A 刘传洋
%A 姚育娟
%A 彭宏论
%A 何宝平
%A 张正选
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验，在不同温度、不同偏压，以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较，发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件，界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
%K MOS-field effect transistor
%K radiation effects
%K threshold voltage shift<br>金属-氧化物-半导体场效应，
%K 辐射效应，
%K 阈值电压漂移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F95E8C088A6FEC1A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=09002DF587B7129E&eid=C0C56F7E9227DF7D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=0