%0 Journal Article
%T ON ULTRAVIOLET-VISIBLE ELLIPOMETRIC SPECTRA OF As+ IMPLANTED SILICON<br>As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱
%A JIANG REN-RONG
%A XIANG SONG-GUANG
%A WANG HAO-WEN
%A XU ZE-HONG
%A MO DANG
%A <br>江任荣
%A 项颂光
%A 王浩文
%A 徐泽鸿
%A 莫党
%J 物理学报
%D 1987
%I 
%X 本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6C9EA2709FA1D588E5A5924246CE60A9&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=933658645952ED9F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=941A3E905B9F2AD9&eid=81A5772701933E75&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0