%0 Journal Article
%T PECVD硼掺杂微晶硅薄膜的压阻特性
%A 郭述文
%A 谭淞生
%A 王渭源
%J 物理学报
%D 1988
%I 
%X 研究了在硅片、柯伐合金和石英片等不同衬底材料上PECVD生长的微晶硅薄膜的压阻特性。测得以硅片和柯伐合金片作衬底样品的最大应变灵敏度因子(以下简称GF)分别为25和20,经激光退火后可达30。利用价带顶轻、重空穴带在应力作用下分裂模型和热电子发射理论推导了计算p型微晶、多晶硅薄膜GF的公式,可表示为GF对掺杂浓度、晶粒尺寸、晶界陷阱态密度以及薄膜织构的依赖关系,理论计算与实验结果较为符台。本文对微晶、多晶硅薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=61059398834A62B15E3D7A04575EFD84&yid=0702FE8EC3581E51&vid=42425781F0B1C26E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=4505D95D28DD2BA2&eid=7E679D7D57BC5B35&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0