%0 Journal Article
%T Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光
%A 佟 嵩
%A 刘湘娜
%A 高 婷
%A 尹 浩
%A 陈逸君
%A 鲍希茂
%J 物理学报
%D 1999
%I 
%X 用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜，未经任何后处理过程，观察到峰值分别位于340—370，400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定，其强度与薄膜中的氧含量紧密相关，而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心，而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3AE0874F20222E084A577D16AFA5772B&yid=B914830F5B1D1078&vid=B6DA1AC076E37400&iid=0B39A22176CE99FB&sid=73648F51F187AC5E&eid=05340B75C67FF664&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0