%0 Journal Article
%T Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构
%A 涂修文
%A 盖峥
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的
%K 表面结构
%K In
%K Ge
%K 扫描隧道显微镜(STM)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=166D634A4828B0EF&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E2AE6FE010839FF3&eid=6070D5F75410BA41&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=29