%0 Journal Article
%T THE ULTRAVIOLET AND GREEN LUMINESCENCE CENTERS IN UNDOPED ZINC OXIDE FILMS<br>非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心
%A LIN BI-XIA
%A FU ZHU-XI
%A JIA YUN-BO
%A LIAO GUI-HONG
%A <br>林碧霞
%A 傅竹西
%A 贾云波
%A 廖桂红
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(OZn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空
%K ZnO films
%K annealing
%K photoluminescence
%K defect levels<br>ZnO薄膜
%K 热处理
%K 光致发光光谱
%K 缺陷能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=06866F586EC553DA&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A1422FF8DA61F4C2&eid=E5B21C35C563F998&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=28&reference_num=10