%0 Journal Article %T Optical properties of GaAs nano-granular embedded in SiO2 matrix prepared by RF magnetron cosputtering technique
射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质 %A Ding Rui-Qin %A Wang Hao %A Yu Ying-Min %A Wang Ning-Juan %A She Wei-Long %A Li Run-Hu %A Qiu Zhi-Ren %A Luo Li %A Chai Zhi-Gang %A
丁瑞钦 %A 王浩 %A 于英敏 %A 王宁娟 %A 佘卫龙 %A 李润华 %A 丘志仁 %A 罗莉 %A 蔡志岗 %A W Y Cheung %A S P Wong %J 物理学报 %D 2002 %I %X 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒,晶粒平均直径为1.5—3.2nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5—2eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子重空穴激子与电子劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应 %K radio frequency magnetron co\|sputtering %K GaAs nano\|granular embedded in SiO %K 2 matrix %K spectrum %K laser Z\|scan
射频磁控共溅射 %K GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜 %K 光谱 %K 激光Z扫描 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=41B6AA90E0C74698&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=E158A972A605785F&sid=8047434EAE0B2346&eid=68BCD01D0D745EB3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=37