%0 Journal Article
%T Optical properties of GaAs nano-granular embedded in SiO2 matrix prepared by RF magnetron cosputtering technique<br>射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质
%A Ding Rui-Qin
%A Wang Hao
%A Yu Ying-Min
%A Wang Ning-Juan
%A She Wei-Long
%A Li Run-Hu
%A Qiu Zhi-Ren
%A Luo Li
%A Chai Zhi-Gang
%A <br>丁瑞钦
%A 王浩
%A 于英敏
%A 王宁娟
%A 佘卫龙
%A 李润华
%A 丘志仁
%A 罗莉
%A 蔡志岗
%A W Y Cheung
%A S P Wong
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒,晶粒平均直径为1.5—3.2nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5—2eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子重空穴激子与电子劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应
%K radio frequency magnetron co\|sputtering
%K GaAs nano\|granular embedded in SiO
%K 2 matrix
%K spectrum
%K laser Z\|scan<br>射频磁控共溅射
%K GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜
%K 光谱
%K 激光Z扫描
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=41B6AA90E0C74698&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=E158A972A605785F&sid=8047434EAE0B2346&eid=68BCD01D0D745EB3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=37