%0 Journal Article
%T Investigation of thermal annealing for a-C:F:H films deposited with microwave ECR-CVD method<br>ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究
%A Xin Yu
%A Ning Zhao-Yuan
%A Cheng Shan-Hua
%A Lu Xin-Hua
%A Gan Zhao-Qiang
%A Huang Song
%A <br>辛煜
%A 宁兆元
%A 程珊华
%A 陆新华
%A 甘肇强
%A 黄松
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 改变CHF3CH4源气体流量比,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法(ECRCVD)制备了具有不同C—F键结构的aC:F:H薄膜,着重研究了退火对其结构的影响.结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E04随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降.借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源.
%K ECR-CVD
%K Infrared spectra
%K thermal annealing
%K optical band gap<br>电子回旋共振化学气相沉积
%K 红外吸收光谱
%K 热退火
%K 光学带隙
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E78A538667F13F59&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AC2617B68B137D9D&eid=5824536C90612D67&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=16