%0 Journal Article
%T MICROWAVE PERMITTIVITY OF NANO Si/C/N OMPOSITE POWDERS<br>纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性
%A ZHAO DONG-LIN
%A ZHOU WAN-CHENG
%A WAN WEI
%A <br>赵东林
%A 周万城
%A 万伟
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2—18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20—30nm.纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部(ε′)和虚部(ε″)以及介电损耗角正切(tan δ=ε″/ε′)随纳米粉体含量的增加而增大,ε′和ε″与纳米粉体体积分数(v)之间符合二次函
%K nano Si/C/N composite powderss
%K microwave permittivity
%K microstructure<br>纳米Si/C/N复相粉体
%K 微波介电常量
%K 微观结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F1E41D4CE63B316A&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=59906B3B2830C2C5&sid=1A8F03B3AE9FEF6F&eid=8B1A65A1F8CED536&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=10&reference_num=28