%0 Journal Article %T The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究 %A Zhu Tian-Wei %A Xu Bo %A He Jun %A Zhao Feng-Ai %A Zhang Chun-Ling %A Xie Er-Qing %A Liu Feng-Qi %A Wang Zhan-Guo %A
朱天伟 %A 徐波 %A 何军 %A 赵凤瑷 %A 张春玲 %A 谢二庆 %A 刘峰奇 %A 王占国 %J 物理学报 %D 2004 %I %X 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法. %K InAs/GaAs columnal islands %K growth interruption %K space layer %K PL spectra
柱形岛, %K 生长停顿, %K 间隔层厚度, %K PL谱 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6E3A83C957BE2C6C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DFEE4E8C33C95CEF&eid=407C905D8F0449C4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=18