%0 Journal Article
%T The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
%A Zhu Tian-Wei
%A Xu Bo
%A He Jun
%A Zhao Feng-Ai
%A Zhang Chun-Ling
%A Xie Er-Qing
%A Liu Feng-Qi
%A Wang Zhan-Guo
%A
朱天伟
%A 徐波
%A 何军
%A 赵凤瑷
%A 张春玲
%A 谢二庆
%A 刘峰奇
%A 王占国
%J 物理学报
%D 2004
%I
%X 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.
%K InAs/GaAs columnal islands
%K growth interruption
%K space layer
%K PL spectra
柱形岛,
%K 生长停顿,
%K 间隔层厚度,
%K PL谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6E3A83C957BE2C6C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DFEE4E8C33C95CEF&eid=407C905D8F0449C4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=18