%0 Journal Article
%T CONDUCTION-BAND OFFSET IN PSEUDOMORPHIC GaAs/In0.2Ga0.8As QUANTUM WELL DETERMINED BY C-V PROFILING AND DLTS TECHNIQUES<br>赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量
%A LU LI-WU
%A ZHANG YAN-HUA
%A YANG GUO-WEN
%A WANG ZHAN-GUO
%A JWANG
%A YWANG
%A WEIKUN GE
%A <br>卢励吾
%A 张砚华
%A 杨国文
%A 王占国
%A J.WANG
%A Y.WANG
%A WEIKUN GE
%J 物理学报
%D 1998
%I 
%X 分别采用二种不同方法测量分子束外延(MBE)生长GaAs/In0.2Ga0.8As单量子阱结构的导带不连续量ΔEc:1) 考虑样品界面电荷修正的电容-电压(C-V)分布；2) 量子阱载流子热发射产生的电容瞬态(DLTS).C-V测得的ΔEc=0.227eV,大约相当于89% ΔEg.DLTS测得的ΔEc=0.229eV,大约相当于89.9% ΔEg.结果
%K 砷化镓
%K 铟镓砷
%K 量子阱
%K 导带
%K C－V
%K 电容
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=478BD5F0F36565A608E773F52B875664&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=F4B561950EE1D31A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=59D5B0EDB2D8DABC&eid=5D2AEAEFE5867538&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4