%0 Journal Article
%T Growth of high-quality CuInSe2 polycrystalline films by magnetron sputtering and vacuum selenisation<br>用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜
%A Xie Da-Tao
%A Zhao-Xie
%A Wang Li-Fang
%A Zhu Feng
%A Quan Sheng-Wen
%A Meng Tie-Jun
%A Zhang Bao-Cheng
%A Chen Jia-Er
%A <br>谢大弢
%A 赵夔
%A 王莉芳
%A 朱凤
%A 全胜文
%A 孟铁军
%A 张保澄
%A 陈佳洱
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu11In9合金薄膜,然后将Cu11In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)对CuInSe2薄膜进行了表征,结果表明CuInSe2薄膜具有单一的晶相,均匀、致密的结构,以及粒径超过了3μm的晶粒.
%K CuInSe
%K 2 polycrystalline thin films
%K magnetron sputtering
%K vacuum selenisation<br>铜铟硒多晶薄膜
%K 磁控溅射
%K 真空硒化
%K 太阳能电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0E28C1C9C51A77C7&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CB8F7B3BEDA8D32B&eid=83525804D8B40525&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=19