%0 Journal Article
%T Study on fluorine-doped indium oxide films deposited by plasma enhanced evaporating<br>等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质
%A Cheng Shan-Hu
%A Ning Zhao-Yuan
%A Huang Feng
%A <br>程珊华
%A 宁兆元
%A 黄峰
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 采用直流辉光CF4O2等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到18×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高.X射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加;退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率.
%K conductive and transparent film
%K fluorine-doping
%K plasma enhanced evaporating<br>透明导电薄膜
%K 氟掺杂
%K 等离子体增强反应蒸发沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F05EF89BE5714CFF&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=38B194292C032A66&sid=C6FC2A9EA7E6C4B9&eid=B28C697BC3A1BA62&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=8